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| 特性磷化铟InP | 用途磷化铟InP |
磷化铟（inp）锑化镓（gasb）砷化镓（gaas）是 ⅲ-ⅴ 族化合物半导体，属于闪锌矿型结构，为面心立方点阵。具有如电子迁移率高、禁带宽度大等优越特性，主要用于光纤通信系统，高速高频微波器件和光电集成电路。另gasb 基材料用于制作多种用途的红外探测器件及火箭和监视系统中的红外成像器件, 用于火灾报警和环境污染检测的传感器, 监测工厂中腐蚀气体(如hcl 等)和有毒气体的泄漏的传感器等。
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