据市场研究公司ims research的预测，在未来的几年中，欧洲工业图像处理市场的年成长率将达到6%，其中，在相机中集成了软件功能的智能型解决方案的市场份额将不断扩大。在德国，据其全国工具机供应商协会vdma提供的数据，2004年的图像处理市场增长率达到了14%。市场调研公司in-stat/mdr亦指出，单就图像传感器的次级市场而言，其年成长率将高达30%以上，而且这种情况将持续到2008年。最为重要的是:cmos传感器的成长速度将达到ccd传感器的七倍，照相手机和数码相机的迅速普及是这种需求的主要推动因素。
芯片
cmos传感器按为像素结构分被动式与主动式两种。
被动式
被动式像素结构(passive pixel sensor.简称pps)，又叫无源式。它由一个反向偏置的光敏二极管和一个开关管构成。光敏二极管本质上是一个由p型半导体和n型半导体组成的pn结，它可等效为一个反向偏置的二极管和一个mos电容并联。当开关管开启时，光敏二极管与垂直的列线(column bus)连通。位于列线末端的电荷积分放大器读出电路(charge integrating amplifier)保持列线电压为一常数，当光敏二极管存贮的信号电荷被读出时，其电压被复位到列线电压水平，与此同时，与光信号成正比的电荷由电荷积分放大器转换为电荷输出。
主动式
主动式像素结构(active pixel sensor.简称aps)，又叫有源式，如图2所示. 几乎在cmos pps像素结构发明的同时，人们很快认识到在像素内引入缓冲器或放大器可以改善像素的性能，在cmos aps中每一像素内都有自己的放大器。集成在表面的放大晶体管减少了像素元件的有效表面积，降低了封装密度，使40%~50%的入射光被反射。这种传感器的另一个问题是，如何使传感器的多通道放大器之间有较好的匹配，这可以通过降低残余水平的固定图形噪声较好地实现。由于cmos aps像素内的每个放大器仅在此读出期间被激发，所以cmos aps的功耗比ccd图像传感器的还小。
填充因数 折叠
这填充因数(fill factor)，又叫充满因数，它指像素上的光电二极管相对于像素表面的大小。量子效率(quantun efficiency)是指一个像素被光子撞击后实际和理论最大值电子数的归一化值.被动式像素结构的电荷填充因数通常可达到70%，因此量子效率高。但光电二极管积累的电荷通常很小，很易受到杂波干扰。再说像素内部又没有信号放大器，只依赖垂直总线终端放大器，因而读出的信号杂波很大，其s/n比低，更因不同位置的像素杂波大小不一样(固定图形噪波fpn)而影响整个图像的质量。而主动性像素结构与被动式相比，它在每个像素处增加了一个放大器，可以将光电二极管积累的电荷转换成电压进行放大，大大提高了s/n比，从而提高了传输过程中抗干扰的能力。但由于放大器占据了过多的像素面积，因而它的填充因数相对较低，一般在25%-35%之间。
cmos(complementary metal-oxide-semiconductor)，中文学名为互补金属氧化物半导体，它本是计算机系统内一种重要的芯片，保存了系统引导最基本的资料。cmos的制造技术和一般计算机芯片没什么差别，主要是利用硅和锗这两种元素所做成的半导体，使其在cmos上共存着带n(带-电) 和 p(带+电)级的半导体，这两个互补效应所产生的电流即可被处理芯片纪录和解读成影像。后来发现cmos经过加工也可以作为数码摄影中的图像传感器，cmos传感器也可细分为被动式像素传感器(passive pixel sensor cmos)与主动式像素传感器(active pixel sensor cmos)
cmos(本意是指互补金属氧化物半导体——一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料)是微机主板上的一块可读写的ram芯 片。
是计算机系统内一种重要的芯片，保存了系统引导最基本的资料