磁传感器：广泛用于现代工业和电子产品中以感应磁场强度来测量电流、位置、方向等物理参数。在现有技术中，有许多不同类型的传感器用于测量磁场和其他参数。例如采用霍尔（hall）元件，各向异性磁电阻（anisotropic magnetoresistance, amr）元件或巨磁电阻（giant magnetoresistance, gmr）元件为敏感元件的磁传感器。tmr（tunnel magnetoresistance）元件是近年来开始工业应用的新型磁电阻效应传感器，其利用的是磁性多层膜材料的隧道磁电阻效应对磁场进行感应，比之前所发现并实际应用的amr元件和gmr元件具有更大的电阻变化率。我们通常也用磁隧道结（magnetic tunnel junction, mtj）来代指tmr元件，mtj元件相对于霍尔元件具有更好的温度稳定性，更高的灵敏度，更低的功耗，更好的线性度，不需要额外的聚磁环结构；相对于amr元件具有更好的温度稳定性，更高的灵敏度，更宽的线性范围，不需要额外的set/reset线圈结构；相对于gmr元件具有更好的温度稳定性，更高的灵敏度，更低的功耗，更宽的线性范围。
磁传感器：什么是磁传感器？就是把磁场、电流、应力应变、温度、光等外界因素引起敏感元件磁性能变化转换成电信号，以这种方式来检测相应物理量的器件。磁传感器未来的发展趋势有以下几种特点：1、小型化、集成化、智能。要想做到以上需求，这就需要芯片级的集成，模块级集成，产品级集成。2、高频特性。随着应用领域的推广，要求传感器的工作频率越来越高，应用领域包括水表、汽车电子行业、信息记录行业。3、低功耗。很多领域要求传感器本身的功耗极低，得以延长传感器的使用寿命。应用在植入身体内磁性生物芯片，指南针等等。磁传感器的发展,在本世纪70～80 年代形成高潮。90 年代是已发展起来的这些磁传感器的成熟和完善的时期。集成电路技术的应用。将硅集成电路技术用于磁传感器,开始于1967 年。honeywell 公司mi2croswitch 分部的科技人员将si 霍尔片和它的讯号处理电路集成到一个单芯片上,制成了开关电路,首开了单片集成磁传感器之先河。已经出现了磁敏电阻电路、巨磁阻电路等许多种功能性的集成磁传感器。

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