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AUK韩国光电MOS管优势代理商

2018/11/22 0:45:53发布102次查看
  • 品牌:AUK韩国光电
  • 型号:SMK0460F
  • 种类:
  • 沟道类型:N沟道
  • 导电方式:增强型
  • 用途:
  • 封装外形:直插塑封
  • 材料:N-FET硅

韩国光电(auk)成立于1980年,是国内最具竞争力之功率半导体元件制造厂。代理商
   韩国光电(auk)是韩国第一家自行研发、生产、销售powermosfets自有品牌的公司。从元件设计、晶圆加工、封装、特性分析、测试全程作业以及客户服务,行销全球。产品已被广泛应用于m/b、nb、ups、powerinverter、ccfl、dc fan、smps、adapter、lighting、battery、dc-dc、lcdmonitor等领域。
   韩国光电(auk)拥有非常齐全的功率金氧半电晶体的产品线及高压闸极绝缘双极性电晶体产品,也可以依客户需求客制化制作产品。代理商
   韩国光电(auk)拥有二十多年ic封装经验以及台湾功率半导体元件经验最丰富、最悠久的设计团队。未来将以此为基础,开发更先进之产品,以客户服务为导向,提供最佳的品质与交期,以期满足客户之需求。
    韩国光电(auk)一级代理商
    auk产品应用:
 1、power tools(电动工具):smk0460f smk0765f
 2、power inverter(逆变器,ups电源):stn3904s stn3906sstn2222astj001sf stj004sf stk001sf stk003sf smk0160 smk630dstk5006p
 3、e-bike(电动车控制器):stk0380f  stk0460f stk0760fstk0825fstk0850f smk730f smk730p smk830f
    韩国光电(auk)一级代理商
 2007年10月auk取得韩国「自我对准沟渠式功率金氧半场效电晶体(msofet)装置及其制造方法」之发明专利代理商
 2005年10月 auk取得美国「lower the on-resistance in protectioncircuitof rechargeable battery by using flip-chiptechnology」之发明专利代理商
 2005年10月 auk取得大陆「功率金属氧化物半导体场效晶体管装置及其制造方法」 代理商
 2005年05月auk取得韩国「降低功率金氧半场效电晶体(mosfet)导通电阻之封装打线改良装置」之新型专利代理商
 2005年04月 auk取得韩国「无焊线式半导体装置及其封装方法」之发明专利 代理商
 2004年12月 auk取得韩国「导线架」之发明专利 代理商
 2004年05月auk取得韩国「利用防卫环(guardring)连接技术以达成功率半导体元件积体电路化之方法及装置」之发明专利 代理商
 2004年05月 auk取得韩国「充电电池保护电路用功率场效应晶体管的覆晶安装方法」之发明专利 代理商
 2004年04月auk取得韩国「高耐雪崩崩溃电压元件之装置,以及提高元件耐雪崩崩溃电压之方法」之发明专利代理商
 2003年12月 auk取得韩国「改变功率电晶体闸极结构改善其切换速度之方法」之发明专利 代理商
 2003年09月 auk取得韩国「无焊线式半导体装置及其封装方法(一)」之发明专利 代理商
 2003年07月 auk取得韩国「单相降压型直流电源转换器整合式封装构造」之新型专利 代理商
 2003年05月auk取得韩国「用于降低导通电阻之充电电池保护电路用功率电晶体的覆晶安装方法」之发明专利代理商
 2003年04月 auk取得韩国「半导体功率元件之封装方法及及其装置」之发明专利 代理商
 2003年03月 auk取得韩国「无焊线式半导体装置及其封装方法(二)」之发明专利 代理商
 2002年09月 auk取得韩国「利用井区渐层式掺杂降低功率mosfet漏电流及提升崩溃电压之方法及其装置」之发明专利代理商
 2002年09月 auk取得韩国「降低磊晶层电阻值之沟渠式功率mos et装置及其制造方法」之发明专利 代理商
 2002年08月auk取得韩国「具有减少反向漏电流急变且提高耐雪崩崩溃电流能力之功率mosfet装置及其制造方法」之发明专利 代理商
 2002年07月auk取得韩国「用于控制绝缘闸极双极性电晶体(igbt)装置切换速率之方法,以及绝缘闸极双极性电晶体(igbt)装置及其制造方法」之发明专利代理商
 2002年06月 auk取得韩国「低导通电阻值功率mosfet装置及其制造方法」之发明专利 代理商
 2002年06月auk取得韩国「在相同元件面积下以平面式技术取得具有沟渠式技术低导通电阻值之功率mosfet装置及其制造方法」之发明专利代理商
 2002年06月 auk取得韩国「平面式超低导通电阻值之功率mosfet装置及其制造方法」之发明专利 代理商
 2002年05月 auk取得韩国「具有低接触电阻值之功率mos fet装置」之新型专利 代理商
 2002年04月auk取得韩国「降低导通电阻值及增加耐雪崩崩溃电流能力之功率mosfet装置及其制造方法」之发明专利代理商
 2002年03月auk取得韩国「利用离子植入技术提升功率mosfet电晶体开关速率之方法及其装置」之发明专利代理商
 2002年03月 auk取得韩国「沟渠式功率mosfet之改良结构及其制造方法」之发明专利 代理商

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