fda18n50
500v的n-沟道mosfet
特性
•19a，500v，rds（on）=0.265ω@ vgs= 10v
•低栅极电荷（典型的45 nc）
•低crss（典型值为25 pf的）
•快速开关
•100％雪崩测试
•改进的dv / dt能力
说明
这些n沟道增强型功率场效应晶体管的生产利用飞兆半导体专有的，平面条纹，dmos技术。
这种先进的技术已特别定制最大限度地减少通态电阻，提供优越的开关性能，并承受高能量脉冲雪崩和减刑模式。这些设备非常适合高高效的交换式电源供应器和有源功率因数校正。
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