供应西门康123全系、12t4全系、12v全系模块
cm50md1-12h 三菱ipm模块，现货全新三菱库存 特价销售中
北京现货供应日本富士igbt模块7mbr35uh-120
正品现货7mbr75ub-120富士igbt模块
供应eupec全新原装可控硅模块t508n12tof
欢迎洽谈各国可控硅、igbt、晶闸管、整流桥、快恢复二极管系列
日本三菱 igbt 1200/1400v/6u系列cm15tf-24h
日本三菱 igbt1200/1400v/6u系列：cm20tf-24e质量保证，欢迎咨询洽谈。销售热线：010-62914832手机：（可发短信询问）qq：826247915
igbt介绍
igbt的全名是(insulatedgatebipolartransistor)绝缘栅双极晶体管是mos结构双极器件，属于具有功率mosfet的高速性能与双极的低电阻性能的功率器件。igbt的应用范围一般都在耐压600v以上、电流10a以上、频率为1khz以上的区域。
多使用在工业用电机、民用小容量电机、变换器（逆变器）、照像机的频闪观测器、感应加热（inductionheating）电饭锅等领域。根据封装的不同，igbt大致分为两种类型，一种是模压树脂密封的三端单体封装型，从to－3p到小型表面贴装都已形成系列。另一种是把igbt与fwd（fleewheeldiode）成对地（2或6组）封装起来的模块型，主要应用在工业上。模块的类型根据用途的不同，分为多种形状及封装方式，都已形成系列化。
igbt是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率mosfet的自然进化。mosfet由于实现一个较高的击穿电压bvdss需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率mosfet具有rds(on)数值高的特征，igbt消除了现有功率mosfet的这些主要缺点。虽然最新一代功率mosfet器件大幅度改进了rds(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比igbt高出很多。igbt较低的压降，转换成一个低vce(sat)的能力，以及igbt的结构，与同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化igbt驱动器的原理图。
供应三菱igbt cm300ha-12h模块，三菱cm300ha-12h

---

北京固力通达机电设备有限公司
柳
13683296798
北京市海淀区清河安宁庄路4号无忧港11号办公楼109室