featuresmax rds(on) = 1.8 mω at vgs = 10 v, id = 30 amax rds(on) = 2.4 mω at vgs = 4.5 v, id = 26 aadvanced package and silicon combination for low rds(on)and high efficiencynext generation enhanced body diode technology, engineered for soft recoverymsl1 robust package design100% uil testedrohs compliant
这些n沟道增强型功率场效应晶体管生产使用仙童的专有,平面内缟,dmos结构技术。这种先进的技术特别适合开态阻力最小化,提供优越的切换性能,承受高能量脉冲雪崩和变换模式。这些设备非常适合效率高开关电源、有源功率因数校正、电子灯镇流器基于半桥拓扑。
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