电子束熔炼ｃ太ｍ能级＃；杂质 １、介绍目前＾阳能缵多晶硅的制鲁仍ｕ改良西门于和硅烷注为主要的制备技术，担其存在能耗 高、污染重等问题．新技展起来的冶金法是种能耗低、污染小的太阳能级多晶硅的制各ｔ 艺．该方法虽然产品质晕不如改良西门予洼以及酵烷注，但足以满足太田能级多晶酵的要求【“。存冶盘注制备太阳能级多晶硅的过程中金属元票可以垣过多饮定向凝固去除，但对非金属元紊ｐ无注有效土除，本文采用自行设订的电于束熔炼炉对上业硅进行提纯。探讨电子柬熔炼列硅中杂质的上除效果。 ２、实验方法 在进行实验之前粟用清洗实验用坩埚．然后用硅料进行熔炼清洗后进行宴验．实验的参数如表１所示。表ｊ电子束熔炼试粤盆参数 熔炼时问ｔｉ（ｔ２＜ｉ＂３ 熔炼功事（ｋｗ） 熔炼窜真卒度（ｐａ） 电于枪真空度（ｐａ） ３０ｋｗ ３－５×１０ ３ １．３×１００实验完成后待硅料在坩埚中完全冷却后，打开设备开启门，取出宴验后硅链，其外观照ｈ如图ｉ所示。图ｉ中左图为电亍束熔炼后表面，右图为电予束熔炼底部。 ９口 囝ｉ电子柬熔炼后硅锭照片 ３、实验结果及讨论 ＊＃－寅§｛１ⅱ－教授，｛?要ｍ事｝＆ｎ提＆方面＊ｒ，ｆ，ｍａｉｌ…ⅵ１０４ｈｏｌｍａｉｌ∞ｍ 张家港２００９．１０．２３．２６第三届中国储能与动力电池及其关键材料学术研讨与技术交流会采用相同的熔炼功率，不同的熔炼时间对硅料进行熔炼，研究熔炼时间对杂质元素去除效果的影响。实验过程中分别采用熔炼时间为ｔｌ、１２、ｂ，通过观察窗看到硅料全部融化 时开始计时。对实验结果进行检测分析，结果如图２所示。
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