ddr4内存将会拥有两种规格。其中使用single-endedsignaling信号的ddr4内存其传输速率已经被确认为1.6～3.2gbps，而基于差分信号技术的ddr4内存其传输速率则将可以达到6.4gbps。由于通过一个dram实现两种接口基本上是不可能的，因此ddr4内存将会同时存在基于传统se信号和差分信号的两种规格产品。根据多位半导体业界相关人员的介绍，ddr4内存将会是single-endedsignaling( 传统se信号)方式differentialsignaling( 差分信号技术 )方式并存。预计这两个标准将会推出不同的芯片产品，因此在ddr4内存时代我们将会看到两个互不兼容的内存产品
   ddr2和ddr3： 大家知道sdram内存传输数据时一次只能传输1 bit的数据，在sdram内存上发展起来的ddr ,ddr2,ddr3，一次分别能传输2 bit ，4 bit，8 bit的数据。ddr 2的工作频率从667mhz到1066mhz不等，工作电压为 1.8v；ddr3 工作频率从1066mhz到1666mhz，工作电压为1.5v。因此，从ddr2到ddr3，性能更好，功耗更低edo内存：这种内存主要用于古老的mmx和486机型上面，也有部分厂家在pii的笔记本电脑中仍然使用edo内存，这种edo单条最高容量只有64m，而且由于edo内存的工作电压为5v和常用的sdram的3.3v相比更费电一些，所以很快就被sdram内存所取代。

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