有两种命名方法。
第1种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母j代表结型场效应管，o代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，d是p型硅，反型层是n沟道；c是n型硅p沟道。例如,3dj6d是结型p沟道场效应三极管，3do6c是绝缘栅型n沟道场效应三极管。
第二种命名方法是cs××#，cs代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如cs14a、cs45g等。
mosfet：
金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, mosfet）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。mosfet依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“n型”与“p型” 的两种类型，通常又称为nmosfet与pmosfet，其他简称尚包括nmos、pmos等。
以n沟道为例，它是在p型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区n+和漏扩散区n+，再分别引出源极s和漏极d。源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。当漏接电源正极，源极接电源负极并使vgs=0时，沟道电流（即漏极电流）id=0。随着vgs逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的n型沟道，当vgs大于管子的开启电压vtn（一般约为+2v）时，n沟道管开始导通，形成漏极电流id。
苏州硅能半导体科技股份有限公司
13706133706
中国 苏州