igbt 什么是 igbt igbt(insulated gate bipolar transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由bjt(双极型三极管)和mos(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有mosfet的高输入阻抗和gtr的低导通压降两方面的优点。gtr饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;mosfet驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。igbt综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600v及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 图1所示为一个n 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， n+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。n+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的p 型区（包括p+ 和p 一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（ subchannel region ）。而在漏区另一侧的p+ 区称为漏注入区（ drain injector ），它是igbt 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成pnp 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 igbt 的开关作用是通过加正向栅...