关断耗散功率poff和关断耗散能量eoff的测量和基本电路
在规定条件下（环境或管壳温度、集电极-发射极供电电压vcce、负载电感l、栅极电阻r，输入脉冲形状：幅度、上升时间、宽度、脉冲重复率、积分时间t1),测量igbt模块的关断耗散功率poff和关断耗散能量eoff。
在实际布线时，寄生电感应最小。g是具有低内阻的矩形波发生器。发生器输出脉冲的上升时间应小于0.1xr1xcice。cice是被测igbt模块的输入电容。r2是测量电流的电阻，这里可以采用其它任何适当的电流探针。
测量方法:输入脉冲幅度vggm和供电电压vcce设置在规定值。在示波器屏上显示集电极电流ic和集电极-发射极电压vce的波形，每个脉冲关断耗散能量是这两个数值之积对时间的积分。任一重复频率的关断耗散功率是该频率和积分测定的每个脉冲关断耗散能量之积。
igbt 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。
igbt 的伏安特性是指以栅源电压ugs 为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压ugs 的控制，ugs 越高， id 越大。它与gtr 的输出特性相似．也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的igbt ，正向电压由j2 结承担，反向电压由j1结承担。如果无n+缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入n+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了igbt 的某些应用范围。
igbt 的转移特性是指输出漏极电流id 与栅源电压ugs 之间的关系曲线。它与mosfet 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压ugs(th) 时，igbt 处于关断状态。在igbt 导通后的大部分漏极电流范围内， id 与ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般取为15v左右。
igbt 的转移特性是指输出漏极电流id 与栅源电压ugs 之间的关系曲线。它与mosfet 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压ugs(th) 时，igbt 处于关断状态。在igbt 导通后的大部分漏极电流范围内， id 与ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般取为15v左右。
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