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透明衬底技术
ingaalp led通常是在gaas衬底上外延生长ingaalp发光区gap窗口区制备而成。与ingaalp相比，gaas材料具有小得多的禁带宽度，因此，当短波长的光从发光区与窗口表面射入gaas衬底时，将被悉数吸收，成为器件出光效率不高的主要原因。在衬底与限制层之间生长一个布喇格反射区，能将垂直射向衬底的光反射回发光区或窗口，部分改善了器件的出光特性。一个更为有效的方法是先去除gaas衬底，代之于全透明的gap晶体。由于芯片内除去了衬底吸收区，使量子效率从4％提升到了25-30％。为进一步减小电极区的吸收，有人将这种透明衬底型的ingaalp器件制作成截角倒锥体的外形，使量子效率有了更大的提高。
金属膜反射技术
透明衬底制程首先起源于美国的hp、lumileds等公司，金属膜反射法主要有日本、台湾厂商进行了大量的研究与发展。这种制程不但回避了透明衬底专利，而且，更利于规模生产。其效果可以说与透明衬底法具有异曲同工之妙。该制程通常谓之mb制程，首先去除gaas衬底，然后在其表面与si基底表面同时蒸镀al质金属膜，然后在一定的温度与压力下熔接在一起。如此，从发光层照射到基板的光线被al质金属膜层反射至芯片表面，从而使器件的发光效率提高2.5倍以上。

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