产品参数表
参数类型
sio2技术指标
产品尺寸
4寸sio2硅片
制备方法
热湿氧技术
表面
单面抛光/双面氧化
晶圆直径
100.2±0.3mm
类型
p型/n型
晶体取向
100
电阻率ω
＜0.05  1~10 10~30 其他定制
平整度tir
＜3um
翘曲度ttv
＜10um
弯曲度bow
＜10um
粗糙度ra
＜0.5nm
颗粒度pewaferr
＜（for size＞0.3um）
氧化层厚度
100nm/300nm/500nm(300nm试验效果最好推荐)
厚度um
常规500非常规厚度请询问掌柜 qq1391291099
用途
用于工艺等同步辐射样品载体，pvd/cvd镀膜做衬底磁控溅射生长xrd sem原子力红外光谱荧光光谱等分析测试基底，x射线分析晶体半导体光刻等诸多科研用途。
生产线技术支持
哈尔滨工业大学（科学园区）
付款方式
支付宝购买/公对公转账/校方合同付款/直接汇款/支付宝钱包
发票类型
黑龙江省国家税务局统一机打发票（税控机随时打印，金额太小开票联系掌柜协商）
加工周期
5~15个工作日（一般根据数量和技术指标而定）
包装
25片/包  100级无尘包装 单片提供分装盒
哈尔滨快递时效
顺丰速运价格22元全国（12~48小时）圆通快递价格10元全国（2~3天）偏远地区需加24小时以内时间
发货时段
当日16.00之前当天发货，之后次日发货。
对外警告（支持原厂，反对复制）
近期有不法商家复制我厂图片，参数表均为假货，请各位客户注意请认准哈尔滨特博科技有限公司

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李红岩
13613627346
河鼓街3号