125单晶硅片a级片标准
crystal type
晶体类型
monocrystalline silicon wafer
单晶硅片
conductivity
导电类型
p type(boron doped)
p型(掺硼)
dimention
硅片尺寸
125×125（±0.5）pseudo-square
125×125（±0.5）伪正方形
thickness
厚度
200μm±20μm
200μm±20μm
diameter
对角线
165±0.5mm
165±0.5mm
ttv
总厚度变化
≤20μm
≤20μm
bow
弯曲度
≤30μm
≤30μm
saw mark
线痕
≤8μm
≤8μm
oxygen concentration
氧含量
≤1.0×10e18atms/cm3
≤1.0×10e18atms/cm3
carbon concentration
碳含量
≤0.5×10e17atms/cm3
resistivity
阻值
0.5-3ohm.cm
0.5-3ohm.cm
monority carrier lifetime
少子寿命
≥15μs
≥15μs
square angle
直角
90°±0.3
90°±0.3
crack and pinhole
裂纹和穿孔
invisible with the naked eyes
目测不可见
edege defect
边缘缺陷
depth≤0.5mm,lenth≤1.5mm,less than 2 places
深不大于0.5mm,长不大于1.5mm,不多于2处
wafer surface
硅片表面
cleaned, no dirt
清洁,无污染

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