热缺陷（晶格位置缺陷)只要晶体的温度高于绝对零度，原子就要吸收热能而运动山东天岳，但由于固体质点是牢固结合在一起的山东天岳碳化硅，或者说晶体中每一个质点的运动必然受到周围质点结合力的限制而只能以质点的平衡位置为中心作微小运动山东天岳先进材料，振动的幅度随温度升高而增大，温度越高，平均热能越大，而相应一定温度的热能是指原子的平均动能，当某些质点大于平均动能就要离开平衡位置，在原来的位置上留下一个空位而形成缺陷，实际上在任何温度下总有少数质点摆脱周围离子的束缚而离开原来的平衡位置，这种由于热运动而产生的点缺陷——热缺陷。热缺陷两种基本形式：a-弗仑克尔缺陷，b-肖特基缺陷（1）弗仑克尔缺陷具有足够大能量的原子（离子）离开平衡位置后，挤入晶格间隙中，形成间隙原子离子），在原来位置上留下空位。特点：空位与间隙粒子成对出现，数量相等，晶体体积不发生变化。在晶体中弗仑克尔缺陷的数目多少与晶体结构有很大关系，格点位质点要进入间隙位，间隙必须要足够大，如萤石（caf2）型结构的物质空隙较大山东天岳先进材料科技有限公司，易形成，而nacl型结构不易形成。总的来说，离子晶体，共价晶体形成该缺陷困难。
中科院物理研究所从2000年以来投入大量人力和物力进行了sic晶体关键生长技术的研发，凭借物理所多年在晶体生长的经验和实力雄厚的科研力量，目前已跻身于全球几个有能力生长2英寸sic半导体晶体的单位之一，同时物理所已设计和制造出具有自主知识产权的sic晶体生长炉，为规模化生产奠定了基础，并具有明显的价格优势。该项目已具备了进行产业化的条件。  据悉，第三代半导体碳化硅产业化项目，被列入２００７年国家科技支撑计划，此项目的顺利实施，将带动一系列下游以碳化硅为基片的宽禁带半导体产业和光电产业等新兴的高科技产业的发展。
目前，全球只有少数的大学和科研机构研发出了碳化硅晶体生长和加工技术，仅有美国能够生产碳化硅晶片，国内碳化硅晶片的需求全部依赖进口，价格昂贵，市场供不应求。
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