mos场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(metaloxidesemiconductor fieldeffect transistor, mosfet)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型mos场效应管可分为npn型pnp型。npn型通常称为n沟道型，pnp型也叫p沟道型。对于n沟道的场效应管其源极和漏极接在n型半导体上，同样对于p沟道的场效应管其源极和漏极则接在p型半导体上。场效应管的输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。
在二极管加上正向电压（p端接正极，n端接负极）时，二极管导通，其pn结有电流通过。这是因为在p型半导体端为正电压时，n型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的p型半导体端，而p型半导体端内的正电子则朝n型半导体端运动，从而形成导通电流。
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的id，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制id”。更正确地说，id流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化
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