source和drain不同掺杂不同几何形状的就是非对称mos管。制造非对称晶体管有很多理由，但所有的最终结果都是一样的。一个引线端被优化作为drain，另一个被优化作为source。如果drain和source对调，这个器件就不能正常工作了。
晶体管有n型channel所有它称为n-channel mos管，或nmos。p-channel mos（pmos）管也存在，是一个由轻掺杂的n型backgate和p型source和drain组成的pmos管。如果这个晶体管的gate相对于backgate正向偏置，电子就被吸引到表面，空穴就被排斥出表面。硅的表面就积累，没有channel形成。如果gate相对于backgate反向偏置，空穴被吸引到表面，channel形成了。因此pmos管的阈值电压是负值。由于nmos管的阈值电压是正的，pmos的阈值电压是负的，所以工程师们通常会去掉阈值电压前面的符号。一个工程师可能说，“pmos vt从0.6v上升到0.7v”， 实际上pmos的vt是从-0.6v下降到-0.7v。
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