mtc26/16   mtc55/16     
电流：26a   电流：55a     
电压：适用于220v/380v系统        
应用领域为：ups电源  无功补偿装置  调功器调压器  全控整流器
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一种以硅单晶为基本材料的p1n1p2n2四层三端器件，创制于1957年，由于它特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称可控硅t。又由于可控硅最初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅scr。在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件（俗称“死硅”）更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此频率，因元件开关损耗显著增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等。可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差；容易受干扰而误导通。可控硅从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形。1、可控硅元件的结构不管可控硅的外形如何，它们的管芯都是由p型硅和n型硅组成的四层p1n1p2n2结构。见图1。它有三个pn结（j1、j2、j3），从j1结构的p1层引出阳极a，从n2层引出阴级k，从p2层引出控制极g，所以它是一种四层三端的半导体器件。2、工作原理可控硅是p1n1p2n2四层三端结构元件，共有三个pn结，分析原理时，可以把它看作由一个pnp管和一个npn管所组成，其等效图解如图1所示当阳极a加上正向电压时，bg1和bg2管均处于放大状态。此时，如果从控制极g输入一个正向触发信号，bg2便有基流ib2流过，经bg2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。因为bg2的集电极直接与bg1的基极相连，所以ib1=ic2。此时，电流ic2再经bg1放大，于是bg1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到bg2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。由于bg1和bg2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极g的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化，此条件见表1可控硅的基本伏安特性见图2图2可控硅基本伏安特性（1）反向特性当控制极开路，阳极加上反向电压时（见图3），j2结正偏，但j1、j2结反偏。此时只能流过很小的反向饱和电流，当电压进一步提高到j1结的雪崩击穿电压后，接差j3结也击穿，电流迅速增加，图3的特性开始弯曲，如特性or段所示，弯曲处的电压uro叫“反向转折电压”。此时，可控硅会发生永久性反向（2）正向特性当控制极开路，阳极上加上正向电压时（见图4），j1、j3结正偏，但j2结反偏，这与普通pn结的反向特性相似，也只能流过很小电流，这叫正向阻断状态，当电压增加，图3的特性发生了弯曲，如特性oa段所示，弯曲处的是ubo叫：正向转折电压图4阳极加正向电压由于电压升高到j2结的雪崩击穿电压后，j2结发生雪崩倍增效应，在结区产生大量的电子和空穴，电子时入n1区，空穴时入p2区。进入n1区的电子与由p1区通过j1结注入n1区的空穴复合，同样，进入p2区的空穴与由n2区通过j3结注入p2区的电子复合，雪崩击穿，进入n1区的电子与进入p2区的空穴各自不能全部复合掉，这样，在n1区就有电子积累，在p2区就有空穴积累，结果使p2区的电位升高，n1区的电位下降，j2结变成正偏，只要电流稍增加，电压便迅速下降，出现所谓负阻特性，见图3的虚线ab段。这时j1、j2、j3三个结均处于正偏，可控硅便进入正向导电状态---通态，此时，它的特性与普通的pn结正向特性相似，见图2中的bc段2、触发导通图5阳极和控制极均加正向电压图1、可控硅结构示意图和符号图3、可控硅在电路中的主要用途是什么?普通可控硅最基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。如果把二极管换成可控硅，就可以构成可控整流电路。现在我画一个最简单的单相半波可控整流电路〔图4(a)〕。在正弦交流电压u2的正半周期间，如果vs的控制极没有输入触发脉冲ug，vs仍然不能导通，只有在u2处于正半周，在控制极外加触发脉冲ug时，可控硅被触发导通。现在，画出它的波形图〔图4(c)及(d)〕，可以看到，只有在触发脉冲ug到来时，负载rl上才有电压ul输出(波形图上阴影部分)。ug到来得早，可控硅导通的时间就早；ug到来得晚，可控硅导通的时间就晚。通过改变控制极上触发脉冲ug到来的时间，就可以调节负载上输出电压的平均值ul(阴影部分的面积大小)。在电工技术中，常把交流电的半个周期定为180°，称为电角度。这样，在u2的每个正半周，从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α；在每个正半周内可控硅导通的电角度叫导通角θ。很明显，α和θ都是用来表示可控硅在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值ul，实现了可控整流。4、在桥式整流电路中，把二极管都换成可控硅是不是就成了可控整流电路了呢?在桥式整流电路中，只需要把两个二极管换成可控硅就能构成全波可控整流电路了。现在画出电路图和波形图(图5)，就能看明白了5、可控硅控制极所需的触发脉冲是怎么产生的呢?可控硅触发电路的形式很多，常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三极管触发电路、利用小可控硅触发大可控硅的触发电路，等等。6、什么是单结晶体管?它有什么特殊性能呢?单结晶体管又叫双基极二极管，是由一个pn结和三个电极构成的半导体器件(图6)。我们先画出它的结构示意图〔图7(a)〕。在一块n型硅片两端，制作两个电极，分别叫做第一基极b1和第二基极b2；硅片的另一侧靠近b2处制作了一个pn结，相当于一只二极管，在p区引出的电极叫发射极e。为了分析方便，可以把b1、b2之间的n型区域等效为一个纯电阻rbb，称为基区电阻，并可看作是两个电阻rb2、rb1的串联〔图7(b)〕。值得注意的是rb1的阻值会随发射极电流ie的变化而改变，具有可变电阻的特性。如果在两个基极b2、b1之间加上一个直流电压ubb，则a点的电压ua为：若发射极电压ue

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