植球工艺宝典：
a、第一步，要分清ic是有铅还是无铅工艺，否则ic污染后达不到rohs要求，造成的后果极为严重；
　　b、第二步，植球前要做好烘烤，ic的封装材料一般为塑料或陶瓷，在室温下容易吸潮，如果在植球前没有烘烤，极易导致ic分层损坏芯片，行业俗称“爆米花”现象；
　　c、植球后，焊接要根据锡球的化学成份，设置好相应的温度，否则容易造成植球不牢、不直、球不圆等不良现象；
　　3.1、有铅锡球（sn63pb37，锡63%铅37%）熔点183℃。
　　3.2、无铅锡球（sn96.5ag3cu0.5，锡96.5%银3%铜0.5%）熔点217℃。
　　d、植好球的ic一般要做短时间的烘烤，以去除ic表面吸附的湿汽，烘烤完成后要及时放入防潮箱、真空包装或卷带包装，以免回潮导致ic贴装时分层损坏ic；
注意事项：用风枪直接加热时，注意调整风枪温度，首先要对钢网整面均匀加热。否则会造成钢网变形，影响植球质量。

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程俊
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