·在增加栅源电压过程中，使栅极电流ig由零开始剧增时的vgs，称为栅源击穿电压bvgs。
5. 低频跨导gm
·在vds为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导
·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力
·是表征mos管放大能力的一个重要参数
·一般在十分之几至几ma/v的范围内
6. 导通电阻ron
·导通电阻ron说明了vds对id的影响 ，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数
·在饱和区，id几乎不随vds改变，ron的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间
·由于在数字电路中 ，mos管导通时经常工作在vds=0的状态下，所以这时的导通电阻ron可用原点的ron来近似
·对一般的mos管而言，ron的数值在几百欧以内
7. 极间电容
·三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容cgs 、栅漏电容cgd和漏源电容cds
·cgs和cgd约为1～3pf
·cds约在0.1～1pf之间
8. 低频噪声系数nf
·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的
·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化
·噪声性能的大小通常用噪声系数nf来表示，它的单位为分贝（db）
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