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1
拉制方式
growing method
cz
2
材 料
material
单晶硅  monocrystalline silicon
3
导电类型&掺杂剂
type & dopant
p/b
4
硅片尺寸
wafer size
125*125±0.5156*156±0.5
mm
5
直径
diameter
165±0.5200±0.5
mm
6
垂直度
perpendicularity
90±0.3
°
7
厚 度
thickness
190±20
μm
8
总厚度变化
ttv
≤ 10
μm
9
电阻率
resistivity
a: 1 ≤ ρ 
ω·cm
10
少子寿命
minority carrier life
≥ 10
μs
11
晶向
orientation
＜100＞ ±2.0
°
12
位错密度
dislocation density
≤ 3000
pcs/cm2
13
氧含量
oxygen content
≤ 1*1018 (astm f121-83)
atoms/cm3
14
碳含量
carbon content
≤ 5*1016 (astm f123-83)
atoms/cm3
15
崩边
edge defect
深度depth ≤ 0.3mm,
长度length ≤ 0.5mm
(最多2处) (max 2 pieces)
16
沾污
contamination area
无  none
17
线痕
saw mark
≤ 15
μm
18
翘曲度
≤ 30
μm

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江西金葵能源科技有限公司
陈昌松
18707997930
江西省萍乡市安源经济转型产业基地重庆路一号