skhi 22a h4 rsemidriver™
hybrid dual igbt driver
vce 1700 v 
ioutpeak 8 a 全新原装 ‘正品保障、现货库存、长期供应’ 欢迎订购更多商品价格请直接咨询客服中心.
英飞凌igbt4简介
t4(中小功率)：主要降低了开关损耗，又优化了软开关特性，8khz≤fk≤20khz.
e4(中大功率)：兼顾了降低开关损耗，进一步优化了软开关特性，1khz≤fk≤12khz.
p4（大功率）：重点优化开关的软特性，极大降低了开关emi，1khz≤fk≤8khz.
igbt4 仍采用沟槽栅和场终止技术的杰出组合，即trenchstot tm
igbt4芯片和其反并联续流二极管芯片，按低、中、高三个功率段的应用特点，分别在开关损耗、通态损耗、开关软特性（emi）方面进一步优化
1200v igbt 芯片的饱和压降vce(sat)=1.7v
最大结温提高到tjmax=175℃，tjop=150℃,提高了25℃
若设计与igbt3工作在相同结温，igbt4的功率循环周次（pc）提高5倍
igbt4的工作结温提高25℃，其输出电流能力提高20%
缩小散热器的体积，实现小形化，降低系统成本
货号: l5012522
净重: 0.045 千克
原产国: 德国
生产商: semikron

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曹先君
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