场效应晶体管的工作原理。从根本上说，两种类型晶体管均是电荷控制元件，即它们的输出电流和控制极半导体内的电荷量成比例。当这些器件被用作开关时，两者必须和低阻抗源极的拉电流和灌电流分开，用以为控制极电荷提供快速的注入和释放。从这点看，mos-fet在不断的开关，当速度可以和双极晶体管相比拟时，它被驱动的将十分的'激烈'.理论上讲，双极晶体管和mosfet的开关速度是基本相同的，这取决与载流子穿过半导体所需的时间。在功率器件的典型值为20~200皮秒，但这个时间和器件的尺寸大小有关。与双极结型晶体管相比，mosfet在数字技术应用和功率应用上的普及和发展得益于它的两个优点。优点之一就是在高频率开关应用中mosfet使用比较方便。mosfet更加容易被驱动，这是因为它的控制极和电流传导区是隔离开的，因此不需要一个持续的电流来控制。一旦mosfet导通后，它的驱动电流几乎为0.另外，在mosfet中，控制电荷的积累和存留时间也大大的减小了。这基本解决了设计中导通电压降（和多余的控制电荷成反比）和关断时间之间的矛盾。因此，mosfet技术以其更加简单的、高效的驱动电路使它比晶体管设备具有更大的经济效益。

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