碳化硅的冶炼的第一步是先将二氧化硅还原成一氧化硅，之后在一氧化硅的上升过程中，不断的反应，这样会比较容易生成碳化硅，它的反应方程式是：sio+2c=sic+co↑
冶炼过程中，焦炭加入量过多时，更易产生碳化硅。其反应式如下：sio2+3c=sic+2co↑
往往在修炉时于料层内部发现大量碳化硅﹙冷却后呈褐色，稍有光泽并是针状结晶﹚，说明产生碳化硅的反应是存在的，并且是中间产物。同时，它也是比较容易被破坏的，碳化硅sic的熔点约为2500℃，不易熔化，电阻小，导电性强。因此，炉中积存过多碳化硅，使炉况恶化。虽然碳化硅易产生，但在冶炼中由于炉料中有钢屑，碳化硅较轻易被铁﹙fe﹚破坏，其反应式如下：sic+fe=fesi+c
除此之外，比如钢屑的数量过多，或者是炉内温度比较高也会导致碳化硅被破坏掉。这个时候我们可以改善这些情况，纠正一些在生产反应中的不足，同时形成碳化硅以后，我们也要尽快的掘出，改善炉内的状况，更容易避免碳化硅被破坏。

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李东杰
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