1、无压烧结
1974年美国ge公司通过在高纯度β－sic细粉中同时加入少量的b和c，硅碳棒批发，采用无压烧结工艺，于2020℃成功地获得高密度sic陶瓷。目前，该工艺已成为制备sic陶瓷的主要方法。
最近，硅碳棒生产，有研究者在亚微米sic粉料中加入al2o3和y2o3，在1850℃～2000℃温度下实现sic的致密烧结。由于烧结温度低而具有明显细化的微观结构，因而，其强度和韧性大大改善。
3. 炉内气氛
在烧成中硅碳棒与很多烧成物挥发出来的化学物质之间的会发生反应，如果与水、氢、氮、硫、卤素等气体及熔融的铝、碱、盐、熔融金属、金属氧化物接触的话，也会发生反应、腐蚀或氧化现象。
4.窑炉运行方式
硅碳棒在连续式窑炉与间歇式窑炉中，前者的寿命较长。硅碳棒在使用中表面氧化生成二氧化硅薄膜，长时间使用使二氧化硅皮膜增加，硅碳棒，硅碳棒阻值也随之增加。二氧化硅薄膜在结晶临界点（270℃）附近发生异常膨胀、收缩。因在间歇式窑炉中间断使用总在此温度上下浮动，所以反复破二氧化硅薄膜，加速氧化。因此停电炉温降至室温时经常急剧增加电阻。
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