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主要用途
主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、光电子器件、声表面波器件、薄膜电路的研制和生产。
工作方式
本机采用版—版对准双面同时曝光方式，亦可用于单面曝光。
主要构成
主要由高精度对准工作台、z轴升降机构、双视场ccd显微显示系统)、二台多面反射式曝光头、真空管路系统、气路系统、直联式真空泵、防震工作台等组成。
主要功能特点
1.适用范围广
适用于φ100mm以下，厚度5mm以下的各种基片(包括非圆形基片)的对准曝光。
2.结构先进
z轴采用滚珠直进式导轨和可实现硬接触、软接触、微力接触的真空密着机构，真空吸版，防粘片机构。
3.操作简便
x\\y移动、q转、z轴升降采用手动方式；
吸版、反吹采用按钮方式，操作、调试、维护、修理都非常简便。
4.可靠性高
采用进口电磁阀、按钮、定时器；采用独特的气动系统、真空管路系统和精密的零件加工，使本机具有非常高的可靠性。
主要技术指标
◆曝光类型：单面对准双面曝光
◆曝光面积：≥φ120mm
◆曝光不均匀性：≤±6%
◆曝光强度：≥5mw/cm2（365nm、404nm、435nm的组合紫外光）
◆曝光分辨率：≤2μm
◆曝光模式：双面同时曝光
◆对准精度：上版与下版的对准精度≤5μm
◆对准范围：x:±5mm y:±5mm
◆旋转范围：q向旋转调节≥±5°
◆最大升降：≥20mm
◆密着曝光方式：密着曝光可实现硬接触、 软接触和微力接触曝光；
ccd显微系统
x、y、q对准工作台
z轴升降机构
◆显微系统：双视场ccd系统，显微镜45x～300x连续变倍(物镜1.1x～7.5x)，显微镜扫
描范围：x：±40mm， y：±35mm；双物镜距离可调范围：11mm～100 mm，计算机图像处理系统，19″液晶监视器；
◆掩模版尺寸：3″×3″、4″×4″、5″×5″
◆基片尺寸：φ2″、φ3″、φ4″
◆基片厚度：≤5 mm
◆曝光灯功率：直流2×200w
◆曝光定时：0～999.9秒可调
◆电源：单相ac 220v 50hz 功耗≤1kw
◆洁净压缩空气压力：≥0.4mpa

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吴震
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