中科院物理研究所从2000年以来投入大量人力和物力进行了sic晶体关键生长技术的研发，凭借物理所多年在晶体生长的经验和实力雄厚的科研力量，目前已跻身于全球几个有能力生长2英寸sic半导体晶体的单位之一，同时物理所已设计和制造出具有自主知识产权的sic晶体生长炉，为规模化生产奠定了基础，并具有明显的价格优势。该项目已具备了进行产业化的条件。  据悉，第三代半导体碳化硅产业化项目，被列入２００７年国家科技支撑计划，此项目的顺利实施，将带动一系列下游以碳化硅为基片的宽禁带半导体产业和光电产业等新兴的高科技产业的发展。
目前，全球只有少数的大学和科研机构研发出了碳化硅晶体生长和加工技术，仅有美国能够生产碳化硅晶片，国内碳化硅晶片的需求全部依赖进口山东天岳晶体材料，价格昂贵，市场供不应求。
山东天岳晶体材料有限公司
目前国内能生产和加工碳化硅衬底的公司有北京天科合达蓝光半导体有限公司、山东天岳先进材料科技有限公司等，能提供硅衬底的有江西晶能光电有限公司。　　据天岳总工程师高玉强介绍，碳化硅是一种宽带隙半导体材料，也是目前发展最为成熟的第三代半导体材料。它具有优良的热学、力学、化学和电学性质，不但是制作高温、高频、大功率电子器件的*材料之一，同时又可以用作基于氮化镓的蓝光发光二极管的衬底材料，可广泛应用在电力电子领域、微波器件领域和led光电子领域。宽带隙半导体材料碳化硅所制作的功率器件可以承受更高电源、更大电路、耗尽层可以做得更薄，因而工作速度更快、器件体积更小、重量更轻。其实在微波器件领域，碳化硅早在2006年就完全替代了蓝宝石作为氮化镓外延衬底。
“从材料性能上来讲碳化硅是非常优越的，它的禁带宽度是硅的3倍，饱和电子漂移速率高于硅2倍，临界击穿电场高于硅10倍，高于砷化镓5倍；热导率大于蓝宝石20倍，是砷化镓的10倍；还有它的化学稳定性很好。”高玉强指出。另外，从结构上比较山东天岳，蓝宝石不是半导体而是绝缘体，它只能做单面电极；碳化硅是导电的半导体山东天岳先进材料，它可以做垂直结构。碳化硅衬底的导热性能要比蓝宝石高10倍以上。蓝宝石本身是热的不良导体山东天岳先进材料科技有限公司，并且在制造器件时底部需要使用银胶固晶，这种银胶的传热性能也很差。而使用碳化硅衬底的芯片电极为l型，两个电极分布在器件的表面和底部，所产生的热量可以通过电极直接导出；同时这种衬底不需要电流扩散层，因此光不会被电流扩散层的材料吸收，这样又提高了出光效率。据了解，目前碳化硅衬底led最高流明效率可达254lm/w。
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